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300-W-DC-Batterielade-Board verdeutlicht die entscheidenden Fähigkeiten der GaN-Technologie, die für die Weiterentwicklung von Anwendungen im Bereich der Elektromobilität erforderlich sind

GOLETA, Kalifornien --(BUSINESS WIRE)-- 11.06.2024 --

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), der weltweit führende Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, kündigte heute die Freigabe eines neuen 300-W-DC-to-DC-GaN-Referenzdesigns für Batterieladegeräte von 2- und 3-rädrigen Elektrofahrzeugen an. Im TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD werden 150-mOhm-SuperGaN®-FETs vom Typ TP65H150G4PS in einem robusten TO-220-Gehäuse zur Versorgung eines hochleistungsfähigen und hocheffizienten Systems zur Energiegewinnung und -verteilung sowie zum Laden von Batterien verwendet. Das neue Board verdeutlicht einen der am meisten erwarteten Wertversprechen einer GaN-Stromversorgung: Bidirektionalität. Diese Fähigkeit bedeutet, dass ein einziges Stromversorgungssystem je nach Bedarf des Systems Strom in zwei Richtungen liefern kann, und zwar vom Eingang (Wechselstrom) zum Ausgang (Gleichstrom) und vom Ausgang (Gleichstrom) zum Eingang (Wechselstrom), wobei GaN in beiden Konversionsrichtungen für hohe Energieeffizienz sorgt.

“Das erste Wertversprechen von GaN in Hochleistungsanwendungen wurde durch den hocheffizienten Betrieb der brückenlosen Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrekturschaltung erfüllt. Dies führte dann zu weiteren Vorteilen in einer Vielzahl von Topologien, darunter insgesamt kleinere und kostengünstigere Stromversorgungssysteme für das gesamte Leistungskonversionsspektrum von 30 Watt bis über 10 Kilowatt”, sagte Primit Parikh, President und CEO von Transphorm. “Um die führende Rolle der GaN-Technologie von Transphorm in Anwendungen mit höheren Leistungen fortzusetzen, haben wir jetzt eine bidirektionale Leistungskonversion vorgestellt, die von Fahrzeug-Ladegeräten für E-Mobilität, für Systeme mit erneuerbaren Energien und Notstromversorgungen sowie für andere Stromversorgungsanwendungen genutzt werden kann, die hochintegrierte, austauschbare Ein- und Ausgangsterminals erfordern.”

Bidirektionalität ist eine Kernfunktionalität, die erforderlich ist, um die V2X-Infrastruktur (Vehicle-to-Everything) für E-Mobilitätsanwendungen voranzubringen, zu denen V2L- (Vehicle-to-Load), V2H- (Vehicle-to-House) und V2G-Szenarien (Vehicle-to-Grid) gehören. Die Prognosen für das gesamte Marktvolumen von V2X-Systemen reichen von konservativen 9 Mrd. USD-Dollar bis zu aggressiven 70 Mrd. USD-Dollar bis 2030.

In Elektrofahrzeugsystemen, Systemen für erneuerbare Energien und anderen Anwendungen im Rahmen des V2X-Modells werden Design- und Leistungsflexibilität entscheidend für Innovationen und eine verbreitete Einführung sein. Die hohe Leistungsdichte und die Bidirektionalität sind wichtige Voraussetzungen für diesen Bereich. Die V2X-Anwendungen sind die wichtigsten Anwendungsfälle, bei denen das überlegene Wertversprechen der SuperGaN-Technologie voll ausgeschöpft werden kann. Dieses neue Referenzdesign ist ein spannendes Beispiel dafür, was in einer Zukunft mit SuperGaN-Technologie alles möglich ist.

TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD: Spezifikationen zum Referenzdesign

Das TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD-Board ist eine rein analoge Implementierung ohne komplexe Firmware-Entwicklung für die Leistungsstufe. Diese Designkonfiguration ermöglicht eine einfachere und schnellere Entwicklung von Stromversorgungssystemen.

Highlights der Spezifikationen:

Zielanwendungen und Verfügbarkeit

Das TDDCDC-TPH-IN-BI-LLC-300W-RD-Board eignet sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie z.B. die DC/DC-Leistungsstufe von bidirektionalen DC/AC-Wechselrichter-Stromversorgungen, die in Energiegewinnungs-Anwendungen mit Solar-, Batterie- und/oder netzgekoppelten Lösungen eingesetzt werden, sowie für AC/DC-Stromversorgungen, die in Ladegeräten für 2-, 3- und 4-Rad-Fahrzeuge verwendet werden.

Der Design-Leitfaden und die Stückliste stehen hier zum Download bereit: https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tddcdc-tph-in-bi-llc-300w-rd/.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine um 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie auf www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auch auf Twitter @transphormusa und WeChat unter Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20240611849251/de/

Pressekontakt:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com