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Der QLC-3D-Flash-Speicher der 10. Generation stellt einen bedeutenden Fortschritt für KI-Speicherarchitekturen, Cloud-Plattformen und Daten dar - grundlegende Innovationen.
SANTA CLARA, Kalif. --(BUSINESS WIRE)-- 05.08.2026 --
Future of Memory and Storage Conference (FMS) – Kioxia Corporation, eine Tochtergesellschaft der Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A) und der SanDisk Corporation (Nasdaq: SNDK), hat heute ihre 3D-Flash-Speichertechnologie der nächsten Generation mit Quad-Level-Cell (QLC) vorgestellt, die im Vergleich zur 8. Generation eine um bis zu 60 % höhere Bitdichte bietet, 37 Gb/mm² übersteigt und damit einen neuen Branchenmaßstab setzt1 und zwar in Bezug auf Bitdichte, Leistung und Energieeffizienz.
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Es wird die revolutionäre CBA-Technologie (CMOS Directly Bonded to Array) des Unternehmens2 genutzt, bei der die CMOS-Logik und das Speicherarray auf separaten Wafern hergestellt und anschließend unter hochpräziser Wafer-zu-Wafer-Ausrichtung miteinander verbunden werden. Die neue Generation bietet im Vergleich zum 3D-Flash-Speicher der 8. Generation eine höhere Lese- und Schreibbandbreite und ist die branchenweit erste QLC-3D-Flash-Speichertechnologie, die eine Geschwindigkeit von 4,8 Gb/s 3 Schnittstelle erreicht.
Weitere Verbesserungen an der Schnittstelle steigern die Energieeffizienz bei der Übertragung von Ausgangsdaten. Diese erheblichen Verbesserungen der Energieeffizienz tragen direkt zur Bewältigung der Herausforderungen in Bezug auf Stromversorgung und Kühlung moderner KI- und Cloud-Infrastrukturen bei.
Hideshi Miyajima, Chief Technology Officer bei Kioxia, erklärte: „Da KI weiterhin den gesellschaftlichen Fortschritt vorantreibt, erweitern sich ihre Anwendungsbereiche von generativer KI hin zu agentenbasierter und physischer KI, während die Nutzung von Daten immer vielfältiger und ausgefeilter wird. Die QLC-Technologie ermöglicht die effiziente Speicherung schnell wachsender Datenmengen und trägt so zu einer höheren Leistung und Skalierbarkeit von KI-Systemen bei. Kioxia wird die Entwicklung hin zur Markteinführung seiner Flash-Speicherprodukte der 10. Generation mit QLC-Technologie beschleunigen.“
Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer bei SanDisk, erklärte: „Da KI-Training, Inferenz und Workloads in Hyperscale-Rechenzentren ein beispielloses Wachstum bei der Datengenerierung vorantreiben, steht die Speicherbranche unter zunehmendem Druck, größere Kapazitäten, höhere Leistung und verbesserte Energieeffizienz bereitzustellen. Durch die Neudefinition der Leistungs- und Effizienzgrenzen von QLC-NAND bietet unser QLC-3D-Flash-Speicher der 10. Generation gleichzeitige Verbesserungen bei Speicherdichte, Bandbreite und Energieeffizienz und etabliert ein neues Paradigma für Flash-Speicher mit hoher Kapazität, um eine skalierbare Grundlage für Infrastrukturanwendungen der nächsten Generation zu schaffen.“
Zu den wichtigsten Merkmalen der QLC-3D-Flash-Speichertechnologie der 10. Generation gehören:
- Die 332-Lagen-Architektur und das optimierte Layout sorgen für eine Steigerung der Bitdichte um bis zu 60 % und erreichen damit >37 Gb/mm² im Vergleich zur 8. Generation.
- Die 4.8 Gb/s3 NAND-Schnittstelle wird durch Toggle DDR6.0 und das SCA-Protokoll (Separate Command Address) ermöglicht, um das volle Potenzial der schnellen Schnittstelle auszuschöpfen.
- Die CBA-Architektur (CMOS Directly Bonded to Array) verbessert die Skalierbarkeit der Packungsdichte, die Leistung und die Fertigungseffizienz.
- Die „Power-Isolated Low-Tapped Termination“ (PI-LTT) verbessert die Energieeffizienz bei der Datenübertragung über die I/O-Ausgänge.
- Stand: 4. August 2026, basierend auf einer Umfrage von Kioxia und SanDisk.
- Eine Technologie, bei der jeder CMOS-Wafer und jeder Zellarray-Wafer separat unter optimalen Bedingungen hergestellt und anschließend miteinander verbunden werden.
- 1 Gb/s entspricht 1.000.000.000 Bit/Sekunde. Dieser Wert wurde unter unseren spezifischen Testbedingungen ermittelt und kann je nach Nutzungsbedingungen variieren.
Über Kioxia
Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid-State-Drives (SSD) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, dem Unternehmen, das 1987 den NAND-Flash-Speicher erfunden hatte. Kioxia hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Welt mithilfe von Speicherprodukten zu bereichern, indem das Unternehmen Produkte, Dienstleistungen und Systeme anbietet, die eine Auswahl für die Kunden und einen speicherbasierten Nutzen für die Gesellschaft schaffen. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia, BiCS FLASH™, prägt die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, Automobilsysteme, Rechenzentren und generative KI-Systeme.
Über Sandisk
SanDisk (Nasdaq: SNDK) bietet innovative Flash-Lösungen und fortschrittliche Speichertechnologien, die Menschen und Unternehmen dort abholen, wo ihre Wünsche und der Moment aufeinandertreffen, und es ihnen ermöglichen, weiter voranzukommen und neue Möglichkeiten zu erschließen. Folgen Sie SanDisk auf Instagram, Facebook, X, LinkedIn, YouTube. Werden Sie Teil von TeamSandisk auf Instagram.
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Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Pressemitteilung enthält zukunftsgerichtete Aussagen im Sinne der US-amerikanischen Bundeswertpapiergesetze, darunter Aussagen zu den Erwartungen hinsichtlich der Leistung, der Fähigkeiten, der verbesserten Energieeffizienz, der Bitdichte und der Skalierbarkeit der BiCS10-QLC-Technologie der Sandisk Corporation und der Kioxia Corporation; zum erwarteten Wachstum bei Workloads in den Bereichen KI-Training, Inferenz und Hyperscale-Rechenzentren sowie zur daraus resultierenden Nachfrage nach einer Zunahme der Datengenerierung; die erwarteten Vorteile der BiCS10-QLC-Architektur für moderne KI, Cloud-Infrastruktur, Hyperscale-Rechenzentren und Unternehmensspeicheranwendungen; sowie die erwartete branchenweite Bedeutung und Wettbewerbspositionierung der Technologie. Diese zukunftsgerichteten Aussagen basieren auf aktuellen Erwartungen und unterliegen Risiken und Ungewissheiten, die dazu führen könnten, dass die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den in den zukunftsgerichteten Aussagen ausgedrückten oder implizierten Ergebnissen abweichen. Zu den wesentlichen Risiken und Ungewissheiten, die dazu führen könnten, dass die tatsächlichen Ergebnisse wesentlich von den in den zukunftsgerichteten Aussagen ausgedrückten oder implizierten Ergebnissen abweichen, gehören: nachteilige Veränderungen der globalen oder regionalen Wirtschaftslage, einschließlich der Auswirkungen sich wandelnder Handelspolitik, Zollregelungen und Handelskriege; Schwankungen in der Nachfrage nach SanDisk-Produkten; Preisentwicklungen und Schwankungen der durchschnittlichen Verkaufspreise; die Exposition gegenüber Umsetzungs-, Finanz- und Marktrisiken aufgrund langfristiger Vereinbarungen; Inflation; Zinsänderungen und eine mögliche wirtschaftliche Rezession; die Auswirkungen von Geschäfts- und Marktbedingungen; die Auswirkungen von Konkurrenzprodukten und deren Preisgestaltung; die Entwicklung und Einführung von Produkten auf Basis neuer Technologien sowie das Management von Technologiewandel; Risiken im Zusammenhang mit strategischen Initiativen, einschließlich Umstrukturierungen, Akquisitionen, Veräußerungen, Kosteneinsparungsmaßnahmen und Joint Ventures; Risiken im Zusammenhang mit Produktmängeln; Schwierigkeiten oder Verzögerungen bei der Fertigung oder andere Störungen in der Lieferkette; die Abhängigkeit von strategischen Beziehungen zu wichtigen Partnern, einschließlich der Kioxia Corporation; die Gewinnung, Bindung und Entwicklung von qualifizierten Führungskräften und technischen Fachkräften; Risiken im Zusammenhang mit dem Einsatz künstlicher Intelligenz im Geschäftsbetrieb; Veränderungen in den Beziehungen zu Schlüsselkunden oder Konsolidierungen innerhalb des Kundenstamms; Kompromittierung, Beschädigung oder Unterbrechung durch Cybersicherheitsvorfälle oder andere Sicherheitsrisiken für Datensysteme; die Abhängigkeit von geistigem Eigentum; Wechselkursschwankungen; Maßnahmen von Wettbewerbern; Risiken im Zusammenhang mit der Einhaltung sich ändernder gesetzlicher und regulatorischer Anforderungen; sowie sonstige Risiken und Ungewissheiten, die in den bei der Securities and Exchange Commission (SEC) eingereichten Unterlagen von SanDisk aufgeführt sind, einschließlich des am 21. August 2025 bei der SEC eingereichten Jahresberichts auf Formular 10-K und des am 1. Mai 2026 bei der SEC eingereichten Quartalsberichts auf Formular 10-Q, auf die Sie hiermit hingewiesen werden. Sie sollten sich nicht in unangemessener Weise auf diese zukunftsgerichteten Aussagen verlassen, die nur zum Zeitpunkt dieser Veröffentlichung Gültigkeit haben, und Sandisk übernimmt keine Verpflichtung, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren oder zu revidieren, um neuen Informationen oder Ereignissen Rechnung zu tragen, es sei denn, dies ist gesetzlich vorgeschrieben.
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