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Produktion soll im Fab2 der Kitakami-Anlage anlaufen

TOKIO --(BUSINESS WIRE)-- 03.07.2026 --

Kioxia Corporation, ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, gab heute bekannt, dass mit der Auslieferung von Musterexemplaren der TLC-Speichergeräte (Triple-Level-Cell) mit Kapazität von 1 Tb (Terabit) begonnen wurde, einer Lösung, die BiCS FLASH™ 3D-Flash-Speichertechnologie der 10. Generation verwendet.¹ Diese werden in erster Linie in die SSDs für Unternehmen und Rechenzentren von Kioxia integriert und die Angebotspalette des Unternehmens zur Erfüllung der wachsenden Nachfrage nach KI-Speichern verstärken, die höhere Leistung, höhere Kapazitäten und niedrigeren Stromverbrauch bieten. Die neuen Produkte werden mit modernster Ausrüstung in der Kitakami Plant Fab2-Anlage von Kioxia in der Iwate Präfektur (Japan) hergestellt.

Durch die Nutzung innovativer CMOS, die direkt mit der CBA-Technologie (Bonded-to-Array) verbunden sind,² und On-Pitch Select Gate Drain (OPS) Technologie,³ die jeweils seit der 8. Generation von BiCS Flash™ zum Einsatz kommen, erzielt die Technologie der 10. Generation eine NAND-Interface-Geschwindigkeit von 4,8 Gb/s⁴, was eine 33-prozentige Verbesserung gegenüber der 8. Generation darstellt. Die Bitdichte ist um 59 Prozent höher, indem 332 Schichten gestapelt und die Lateraldichte verbessert wurden. Darüber hinaus wurde die Schreib- und Leseleistung um 18 bzw. 30 Prozent energieeffizienter gemacht,⁵ was dazu beiträgt, den Stromverbrauch in Rechenzentren und der Unternehmensinfrastruktur zu senken.

Mit seiner einzigartigen Doppelachsenstrategie verbessert Kioxia gleichzeitig zwei verschiedene Produktlinien: die Lösungen der 9. Generation, die hohe Leistung bei relativ niedrigen Investitionskosten bieten, und die Technologie der 10. Generation, die fortschrittliche Schichtenstapelung nutzt, um gewaltige Kapazitäten und höhere Leistung zu erzielen.

Im Einklang mit seiner Mission, „Uplifting the world with ,memory'", engagiert sich Kioxia weiterhin für technologische Innovation, Stärkung globaler Partnerschaften und Bereitstellung der fortschrittlichen Speicherlösungen, die der modernen KI-Infrastruktur zugrunde liegen.

1. Die Musterexemplare dienen Funktionsprüfungszwecken und die Spezifikationen der Muster unterscheiden sich womöglich von denen in der Massenproduktion.
2. Technologie, bei der CMOS-Wafer und Zellmatrixwafer separat unter jeweils optimierten Bedingungen hergestellt und dann zusammengebunden werden.
3. Technologie, die die Verkürzung der Bitleitung und die Reduzierung der Wordleitungskapazität durch Beseitigung unbenutzter Speicherlücken ermöglicht.
4. 1 Gb/s wird als 1.000.000.000 Bits/Sekunde kalkuliert. Dieser Wert wird in einer speziellen Testumgebung bei der Kioxia Corporation erzielt und kann je nach Nutzungsbedingungen unterschiedlich ausfallen.
5. Energieeffizienz bei der Datenübertragung ebenfalls eingeschlossen

Anmerkungen:

• Die Produktdichte wird basierend auf der Dichte der Speicherchips innerhalb des Produkts ermittelt, nicht auf der für Datenspeicherung beim Endnutzer verfügbaren Speicherkapazität. Die vom Konsumenten nutzbare Kapazität ist niedriger aufgrund der Overhead-Datenbereiche, Formatierung, fehlerhafter Blöcke und anderer Sachzwänge und kann auch je nach Hostgerät und Anwendung abweichen. Einzelheiten entnehmen sie bitte den jeweiligen Produktspezifikationen. 1 Gb = 2^30 Bits = 1.073.741.824 Bits.
• Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sind die in einer speziellen Testumgebung bei der Kioxia Corporation erzielten Bestwerte; das Unternehmen gibt keine Garantie für Lese- oder Schreibgeschwindigkeiten in einzelnen Geräten. Lese- und Schreibgeschwindigkeiten können je nach benutztem Gerät unterschiedlich ausfallen.
• Namen von Unternehmen, Produkten und Dienstleistungen sind gegebenenfalls Marken der jeweiligen Firmen.
  

• Diese Meldung dient der Bereitstellung von Informationen über unser Geschäft und ist weder ganz noch teilweise ein Angebot oder eine Aufforderung zum Verkauf oder eine Einholung eines Kauf- oder Zeichnungsangebots oder zum sonstigen Erwerb von Wertpapieren in einem jeglichen Rechtsgebiet oder ein Anreiz für eine Investitionstätigkeit, und sie bildet auch keine Grundlage in Verbindung mit einem entsprechenden Vertrag und ist nicht zu diesem Zweck heranzuziehen.
• Informationen in diesem Dokument, einschließlich Produktpreisen und -spezifikationen, Dienstleistungsinhalten und Kontaktangaben, gelten zum Zeitpunkt der Veröffentlichung, können sich jedoch ohne Vorankündigung ändern.

Über Kioxia

Kioxia ist ein weltweit führender Anbieter von Speicherlösungen, der sich auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Flash-Speichern und Solid-State-Drives (SSD) spezialisiert hat. Im April 2017 wurde der Vorgänger Toshiba Memory aus der Toshiba Corporation ausgegliedert, dem Unternehmen, das 1987 den NAND-Flash-Speicher erfunden hatte. Kioxia hat es sich zur Aufgabe gemacht, die Welt mithilfe von Speicherprodukten zu bereichern, indem das Unternehmen Produkte, Dienstleistungen und Systeme anbietet, die eine Auswahl für die Kunden und einen speicherbasierten Nutzen für die Gesellschaft schaffen. Die innovative 3D-Flash-Speichertechnologie von Kioxia, BiCS FLASH™, prägt die Zukunft der Datenspeicherung in Anwendungen mit hoher Speicherdichte, darunter fortschrittliche Smartphones, PCs, Automobilsysteme, Rechenzentren und generative KI-Systeme.

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Kota Yamaji
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